「パワーデバイスセミナー～SiCパワーデバイスの実現迫る」開催のご案内

　実用化迫るSiCパワーデバイスに焦点を当て、市場規模やデバイスとしての完成度や課題への
対応など、トータルな視点からSiCパワーを探っていきます。
　なお、パワーデバイス・イネーブリング協会主催のセミナーは東北で初めての開催です。
また、講演後は、講師、参加者による名刺交換会も予定されております。

　◆日時：平成31年3月20日(水) 13:00～18:50

　◆会場：TKPガーデンシティPREMIUM仙台西口

　◆主催：一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

　◆共催：株式会社アドバンテスト

　◆後援：東北経済産業局、宮城県、東京大学VDEC、日本電子デバイス産業協会

　◆定員：80名　定員に達し次第、申込みを締め切らせていただきます。

　◆参加費：5,000円　名刺交換会費を含みます

　◆セミナープログラム
　　○13:00～13:35
　　　「電子デバイスにおけるパワーデバイスの位置づけと市場展望」
　　　　　(株) 産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 副編集長　稲葉 雅巳　氏
　　○13:35～14:35
　　　「パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革」
　　　　　筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授　岩室 憲幸　氏
　　○14:35分～15:25
　　　「車載用パワー半導体の小型・高信頼性化技術」
　　　　　富士電機(株) 電子デバイス事業部開発統括部 パッケージ開発部　両角 朗　氏
　　○15:25～15:30
　　　「パワーデバイス・イネーブリング協会の紹介」
　　　　　一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会　江越 広弥　氏
　　○15:30～15:40　ブレイク
　　○15:40～16:30
　　　「車載を睨むSiCデバイス実用化技術」
　　　　　(株)デンソー エレクトロニクス研究部 パワエレ応用研究室 室長　山田 隆弘　氏
　　○16:30～17:20
　　　「SiCパワーデバイスの超高電圧用途への応用」
　　　　　福島SiC応用技研(株) 副社長　大阪大学大学院　中村 孝 氏
　　○17:20～18:50
　　　　講師を囲む名刺交換会

　　※都合により、講演題目・プログラム内容が変更される場合がございます御了承ください。

　◆申込方法：
　　申込方法やセミナー内容の詳細等は下記のウェブサイトをご覧ください
　　　https://www.tohoku.meti.go.jp/s_monozukuri/topics/190226.html

　◆お問合せ先
　　一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 （担当：秋本）
　　　　TEL：070-2646-7758
　　　　E-MAIL：info@pdea.jp